2016年第四季度的DRAM供应商及其份额（source: Dramexchange）

赛迪顾问数据显示，2014年，中国存储芯片市场规模为2465.5亿美元，占国内集成电路市场份额的23.7%。更让人头疼的是从去年年中到现在，全球的存储价格陷入了疯狂增长状态。同样是Dramexchange的数据显示，2016年Q4季度DRAM内存平均合约价格上涨了30%，今年Q1 DRAM也涨了15%；而NAND Flash也涨价超过20%，且涨价风暴将会持续到2017年底，这对本身毛利就不高的移动设备终端厂商（绝大多数是中国厂商）来说，是非常艰难的。

从全球发展形势来看，正在兴起的智能驾驶、物联网和大数据等应用，将会产生庞大的数据，进而拉动对存储芯片的需求。这对于市场容量巨大的中国来说，存储这块产品的缺失无疑是雪上加霜的，这也成为困扰中国电子人的阿喀琉斯之踵。

奋起直追，但困难重重

深受元器件缺失之痛的中国半导体人很早就投入了打破国外垄断的“战斗”中去，存储产业也不例外。在2006年，武汉投资100亿元启动了武汉新芯项目；2009年，浪潮集团山东华芯半导体收购了原德国奇梦达有限公司，并将其更名化西安华芯半导体。有志青年前赴后继地投入这个产业，想实现中国存储产业零的突破。进入最近几年，由于国家政策和资金对集成电路的大力扶持，消耗量巨大的存储产业又迎来了一波建设高潮。

2015年，紫光集团记下的紫光国芯股份有限公司收购西安华芯半导体有限公司，将其更名为西安紫光国芯半导体有限公司；2016年7月，紫光集团斥资收购了武汉新芯的绝大多数股权，并成立了长江存储。进而形成了国内存储领域的第一大势力。其中紫光国芯聚焦在DRAM产品研发，而长江存储的发展目标则是目前流行的3D NAND Flash；而在日前，紫光国芯宣布，通过其子公司湖北紫光国器科技股份有限公司控股长江存储，控股比例为51.04%。

同样在2016年，联电与福建晋华集成电路签署了技术合作协定，共同开发DRAM相关技术。

而中芯国际的前CEO王宁国则联手兆易创新和合肥市政府，打造了合肥长鑫项目，目标也是DRAM。

从目前已泄露的信息看来，以紫光系发展最为迅速。在早前CCTV2的“中国芯”系列报道里，长江存储计划的操盘手高启全表示，他们研发的中国自主32层3D NAND将会在2017年底提供样品。尔后，还将投入到64层3D NAND Flash的研发，届时与三星、SK海力士和东芝等的差距，会缩小到一代。高启全还指出，长江存储还会考虑投入到18/20nm DRAM的研发，从这次紫光国芯的动作来看，这几乎是板上钉钉的事实。但事情永远不会那么一帆风顺，中国存储产业发展首先要面对的是技术和人才的缺失。

很早以前，有日本从业者对于长江存储的3D NAND Flash技术有所怀疑，认为这个来自武汉新芯与Spansion合作的技术不靠谱，因为Spansion本身也未曾量产过，因此业内对此持有保留的态度。

但在这次高启全宣布在2017年底提供32层3D NAND Flash样品的时候，也着实让世界业者感到惊讶，于是他们提出新的论调。例如到长江存储量产的时候，三星等可能已经去到了100层或以上，长江存储花费巨资研发出来的产品怎么从价格上去参与竞争？

在DRAM上面临同样的问题，台湾力晶创始人兼CEO黄崇仁表示，大陆扶植半导体以为撒钱就可以，但未来用补助研发费用来扶植新厂的策略很难再延续，必须要有技术在手才行，但现在美系存储器大厂美光(Micron)已经盯上大陆3家存储器，包括紫光长江存储、合肥长鑫和联电的福建晋华，预计进入大陆DRAM产业的脚步会放缓。

他还指出，由于一些客观因素，大陆几乎不可能从美光或者日韩厂商手上获得DRAM技术的授权，联想到台湾当时发展也要从国外大厂获取授权，他认为大陆生产DRAM，几乎是个不可能任务，就算强行上马，也会面临侵权风险。