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不只是10nm,英特尔Ice Lake是全新技术战略的缩影
发表时间:2019年6月12日 13:01 来源:新科技 责任编 辑:U

今年的台北电脑展上,Intel公司推出了十代酷睿处理器,也就是10nm工艺的Ice Lake处理器,今年6月份出货,量产时间比预期提前了半年。

10nm Ice Lake是首发10nm的处理器,也是基于六大技术支柱的创新、可实现指数级性能增长。

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现在已经是以数据为中心的时代了,云服务、大数据、5G、AI、物联网带来的数据量是指数级增长,2018年仅仅是中国就产生了7.6ZB的数据,2025年预计会大幅增加到48.6ZB,全球数据量高达175ZB,这样的增长已经超过了单一处理器性能增长的极限。

不仅仅是数据量的爆发,还有数据形态的多样化,都对数据的处理提出了更复杂的需求。未来我们连接的设备也不再是数亿级的PC,或者是10亿级的智能手机,随着5G及物联网的发展,未来的时代是万物互联,2025年中国就有800亿智能设备,全球则是1500亿智能设备,纵横交错下对数据的处理、存储、连接都提出了更高要求。

应对这样的时代,Intel公司也转变了战略,从以往的以晶体管为中心变成了以数据为中心,转向了六大技术支柱并行的创新,这六大支柱就是制程和封装、架构、内存和存储、互连、安全、软件。Intel的目标是借助这六大技术支柱,实现指数级的增长。

在Ice Lake处理器上,先进工艺是10nm,架构是全新的Sunny Cove及Gen11核显,内存上DDR4+傲腾也带来了性能、容量的双重升级,集成雷电3、Wi-Fi6也扩展了Ice Lake的连接性,安全及软件优化更是重中之重。

制程工艺:先进的2.7倍微缩

六大技术支柱之中,先进的制造工艺至关重要,是打造领先产品的关键基础,而Ice Lake带来高性能的前提就是10nm工艺的超高晶体管密度。

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从14nm节点,Intel工艺的升级幅度明显超过了前面几代,22nm到14nm是2.5倍密度,而从14nm再到10nm更是提升到了2.7倍,晶体管密度达到了1MTr/mm2,也就是说一平方毫米空间里就有1亿个晶体管。

除了晶体管密度上继续符合摩尔定律之外,Intel的10nm工艺在材料、工艺上还有不少创新之处。之前Techinsights拆解过Intel 10nm芯片,提到Intel 10nm工艺在后端制程BEOL中首次联合使用金属铜及钌,并且使用了自对齐曝光工艺,在新技术上做了很多探索性改进,技术难度要比之前的工艺高得多。

值得一提的是,Intel去年推出了名为Foveros的3D封装技术,该技术提供了极大的灵活性,因为设计人员可在新的产品形态中“混搭”不同的技术专利模块与各种存储芯片和I/O配置。

Foveros封装技术也是六大技术支柱中的重要一环,虽然10nm Ice Lake处理器目前并没有使用Foveros封装技术,不过今年会有Lakefield处理器率先垂范Foveros封装,未来还有更多处理器用上这一技术,芯片从二维走向三维之后也能带来更高的指数级增长。

架构创新:全新Sunny Cove核心,18% IPC性能提升

除了工艺上的升级之外,Ice Lake处理器上另外一个带来指数级性能增长的创新就是全新架构的应用。Intel认为,未来十年,架构创新会是他们创新的主要驱动力,继续带来指数级的扩展效应。

就Ice Lake来说,这次主要的架构升级就是CPU、GPU,其中CPU核心升级到了Sunny Cove,GPU升级到了Gen 11代。

在CPU核心上,Sunny Cove主要改进可以说是三点——更深、更宽、更智能,具体来说就是:

- 更深:内部单元增强,L1缓存增加了50%,L2缓存翻倍。

- 更宽:寻址单元从4个增加到5个,执行单元接口从8个增加到10个等,提高了微架构的并行性能。

- 更智能:Intel在Sunny Cove核心上使用了更好的算法,提高了分支预测精度,降低了延迟。

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