现在装机，固态硬盘必可不少，早已取代传统机械硬盘成为首选。而随着电脑硬件的更新换代与技术革新，NVMe M.2 SSD慢慢取代SATA SSD成为市场的主流。近日，朗科推出旗下中高端定位的NVMe M.2 SSD--NV2000系列新品，采用PCIe Gen3.0x4和NVMe 1.4协议，我们拿到512GB版本，接下来一起看看它的性能表现吧?

　　在性能测试之前，先带大家了解朗科NV2000 NVMe M.2 SSD是一款怎样的产品?

　　朗科NV2000 NVMe M.2 SSD开箱：

　　▲朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的外包装

　　朗科NV2000 NVMe M.2 SSD采用全新品牌包装设计，主体深灰色搭配一抹红色点缀，更具现代感与科技感。包装盒正面有一个小橱窗，透过小窗口，让消费者直观看到产品。此外，包装正面还能读到一些关键信息，比如NVMe M.2固态硬盘，PCIe Gen3x4接口，2280的尺寸。

　　朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的宽度为22mm，长度为80mm，标准的产品尺寸，兼容性没问题，目前带M.2插槽的台式机主板都能装，而且笔记本也能用。

　　朗科NV2000 NVMe M.2 SSD虽然不配备独立的缓存芯片，但是它所采用的NVMe协议是支持HMB(Host Memory Buffer主机内存缓冲)技术，确保了性能的发挥。这一点SATA SSD是不具备的。

　　朗科NV2000 NVMe M.2 SSD是走PCIe Gen3.0x4通道，要安装在对应的M.2插槽上，才能发挥出性能优势。

　　作为朗科旗下定位中高端的M.2 SSD，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD提供5年质保，比普通SSD三年的质保时间更长，让消费者使用更放心，也从侧面体现朗科对于这款产品的品质抱有十足的信心。

　　撕掉产品正面标签，可以看到PCB板的正面布置一颗主控芯片以及4颗闪存芯片，没有看到缓存芯片。背面则是空白的，这种单面PCB布局，对于轻薄笔记本电脑的升级十分友好。

　　▲朗科NV2000 NVMe M.2 SSD采用Realtek 的RTS5765DL主控芯片。

　　Realtek(瑞昱)是一家知名的半导体企业，估计大家对“小螃蟹”网络芯片及音频芯片早已耳熟能详。近年来Realtek入军固态硬盘的主控芯片领域，推出的RTS5765DL主控得到了广泛运用。这是基于HMB(Host Memory Buffer)技术的DRAM-Less控制芯片，可以匹配最新NAND闪存，具备出色的数据安全性和LDPC纠错能力。

　　▲朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的闪存芯片，采用了4颗，单颗128G，组成512G容量。

　　用Realtek Flash ID识别软件，可以看到这是YMTC TLC闪存。YMTC即长江存储，根据颗粒的规格信息，可以判断这是长江存储最新64层堆叠的TLC闪存。其采用自研的Xtacking堆栈结构，核心容量256Gb，拥有着不错的性能表现。目前众多的国产SSD品牌都采用该款闪存颗粒。

　　测试平台说明：

　　CPU：Intel Core i7-11700F (所有CPU节能特性关闭)

　　主板：七彩虹iGame Z590 Vulcan X

　　显卡：影驰名人堂RTX 3080 Ti

　　内存：威刚XPG D50 DDR4-3600 8Gx2

　　硬盘：金士顿KC2000 500G(系统盘)

　　测试盘：朗科NV2000 M.2 512G(从盘，空的)

　　系统：Windows 10专业版

　　驱动：系统默认stornvme

　　设置：关闭写入缓冲区刷新，电源项开启高性能模式

　　CrystalDiskInfo软件中，可以看到朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的固件为VC0S0303，传输模式PCIe 3.0x4，标准NVM Express 1.4。读取量及写入量都是0，证明这是一块新盘。

　　基准性能测试：

　　基准测试1：CrystalDiskMark测试

　　在CDM测试中，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD持续读写速度为2558、1981MB/s，4K随机读写QD1达到53MB/s、164MB/s，这成绩在一众PCIe 3.0x4 SSD中，处于中高端的水准，虽说离旗舰定位的产品有一定差距，但比起SATA SSD强太多。

　　AS SSD Benchmark测试，在4K-64Thrd测试项目上，跑出185K、255K 随机IOPS读写，比SATA SSD高出一个等级，在应付大型游戏、图形渲染、专业设计等重负载场景，这么高的IOPS，才能够游刃有余。

　　基准测试3：ATTO

　　ATTO测试中，测试了不同数据块大小的传输速度，从0.5KB到8192KB。

　　从64KB数据块开始，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD就展现出高速表现，并且能维持稳定的高速读写，基本无波动。

　　基准测试4：PCMark8

　　PCMark8有专门硬盘测试项，测试项目包括 《魔兽世界》和《战地3》的游戏载入测试，Photoshop，Adobe InDesign，Adobe After Effects，Adobe lllustrator，微软Office Word、Office Excel以及Office PowerPoint等十项测试。

　　朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的PCMark8得分为5063分，存储带宽563.92MB/s，这个成绩如何呢?我之前测试了一块三星970EVO Plus 1TB，是一款旗舰定位PCIe Gen3.0x4 M.2 SSD，它的PCMark8得分5074分，存储带宽582.52MB/s。这两款SSD价格差一大堆，但是成绩相近，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD一样能够应付高强度、重负载的读写场景。

　　SLC Cache缓存测试：

　　在空盘的情况之下，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的SLC缓存容量约为180GB，考虑到无外置缓存设计，大容量SLC缓存空间在一定程度上能够保证它性能的表现。面对长时间高负载读写时，表现将更为从容。

　　进阶项目：4KB QD32 随机写入离散度测试

　　用IOMeter软件连续对SSD进行半个小时的高强度写入。设定: QD队列深度32;100%的随机写入;每秒记录一个数据，得到数据分布图如下：

　　在测试过程上，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD的数值波动在15000-22000 IOPS值之间，没有出现那种大起大落，波动特别大的现象。这说明在应付高强度读写时，这款SSD的稳定性表现是不错的。像一些山寨盘，闪存颗粒品质不行，可能会出现归0或者数值突然掉得特别低的情况，这将严重影响读写的效率，也不适合重度负载。

　　Trim与GC测试:

　　空盘时的性能，写入较为平稳。

　　使用IOMeter对SSD全盘进行半小时的4K QD32随机写入后，立即测试。这时经历了重度负载之后，性能衰减近一半，波动较大，平均写入值从741MB/s跌到361MB/s。

　　闲置了一个小时，写入速度恢复到561MB/s，说明这盘的垃圾回收能力不错。既管长时间重度负载，也可以在较短时间恢复正常性能。

　　再分区格式化，进行全盘TRIM，朗科NV2000 NVMe M.2 SSD就恢复空盘时的速度。

　　总结：

　　朗科NV2000 NVMe M.2 512G SSD的持续读写速度能在2500、2000MB/s左右，4K随机读写也是中高端的水准。此外有大容量的SLC缓存空间，保证大容量/高强度写入时，不易掉速。在重度负载测试时，也看到它可靠的一面。

　　朗科NV2000 NVMe M.2 SSD采用Realtek RTS5765DL主控+长江存储64层TCL闪存的方案，是业界较为成熟方案，提供长达5年质保，诚意满满。总得来说，这样一款NVMe M.2 SSD，不管是新平台装机还是旧平台升级 ，都是不错的选项之一。

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