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三星将3D芯片制造工艺授权至GlobalFoundries
发表时间:2014年4月19日 11:35 来源:牛华网 责任编辑:编 辑:麒麟


今天,三星对外表示,该公司已经将最新的芯片制造技术授权给美国制造商GlobalFoundries,此举有助于改善GlobalFoundries的生产力,使其在台积电争夺诸如苹果这样大公司的订单时更具竞争力。

作为全球最大的闪存芯片制造商,为了满足智能手机制造商不断增长的需求,三星希望能够发展其代工芯片制造和移动处理器芯片业务。

三星在一份声明中表示,该公司已经将3D芯片制造工艺FinFET授权给全球第二大合同芯片制造商GlobalFoundrie。

三星表示,该公司计划在第四季度展开14纳米工艺的FinFET量产,并且希望不断提高产能。

3D晶体管比传统平面晶体管的体积要小很多,并且功耗将会降低35%,性能则会提升20%。

目前,三星的竞争对手台积电仍主要采用28纳米制造工艺,并在今年3月开始了20纳米工艺的生产。同时,也有消息称台积电正在研发16纳米FinFET芯片的量产。

周四,台积电公布了连续第八个季度的利润增长。由于移动设备制造商的需求增加,台积电的利润率也有进一步地提升。

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