新科技讯（不贰/文）日前，外国媒体9to5Mac放出了疑似iPhone 6S电路板的照片，从照片上来看，iPhone 6S采用了高通MDM9635M芯片，将支持LTE Cat 6技术，其4G网速要比前代提升一倍之多。

从外国媒体9to5Mac带来的电路板跌照来看，新一代iPhone将会配备高通MDM9635M芯片，该芯片属于高通的第四代LTE基带Gobi 9X35移动平台。据悉，该芯片在4G网络上要比iPhone 6所提供LTE Cat.4技术快一倍之多，达到了300Mbps，但上行的速率则仍为50Mbps。此外，该芯片还将改善4G网络下的电池续航表现，这预示着iPhone 6S将拥有更加出色的续航能力。

而从前不久曝光的外壳照片来看，iPhone 6S的内部与iPhone 6还是有着较为明显的变化，尤其是逻辑板与当前iPhone 6截然不同，这预示着该机采用了全新的SiP封装技术。据介绍，这是一种系统级的封装技术，可将处理器、协处理器、内存、存储器、甚至传感器都集成于一体，不再需要传统的PCB电路板，能够为手机内部设计节省更多的空间。

据悉，iPhone 6S和iPhone 6S Plus在外形上相比过去并没有多少变化，同样有4.7英寸和5.5英寸两种触控屏版本。这两款新机的内部测试代码为N66和N71，将会搭载2GB内存，并且将主摄像头升级为1200万像素。此外，两机还将采用三星代工的A9处理器，这款处理器将CPU、GPU、内存、存储、调制解调器高度集成在一个芯片上，这与Sip封装技术颇为接近。