同时，3D NAND Flash 存储密度高，单位容量成本低：据前瞻产业研究院估计，3D NAND 技术下每GB成本约0.1美金，较2D 结构至少低30%。在48层3D TLC架构下，1TB SSD 成本已低于2D TLC 架构，3D NAND 较2D NAND 更为经济。
另一方面，NANDFlash 下游需求增长空间仍大：智能手机及SSD渗透率提升仍构成NAND Flash的巨大需求。供给产能的缓解与需求空间的提升对NAND Flash价格构成相反影响，未来价格变化依旧有待观察。
2017 年 NAND Flash 主要厂商产量(单位：万片)
数据来源：公开资料整理
DRAM价格继续走强，维持上涨态势
DRAM价格于2017Q2 有所回调，2017Q3后则继续维持，2016年以来涨势，2017年初至10月，DDR34G1600MHz 价格上涨25%左右。拉动DRAM价格上涨原因主要有：
(1)需求端来看，终端云端需求不减：终端智能手机内存容量升级，云端服务器、数据中心的强劲需求均拉动 DRAM 需求的增长。
(2)供给端来看，DRAM 厂产能增加有限：三大DRAM 厂(三星、海力士、美光)产能增加空间已相当有限，接近满载，从产能规划来看，2018 年新增投片量仅约5-7%，源于现有工厂产能的重新规划，资本支出倾向于保守，仅SK海力士决议在无锡兴建新厂，最快产能开出时间落在2019 年。需求供给两侧来看，预计2018 年DRAM价格仍将维持上涨态势。
DRAM价格(单位：美元)
数据来源：公开资料整理
据前瞻产业研究院数据显示，目前中国市场所消耗的DRAM量超过全球20%，而NAND的数据更是惊人，2017 年占全球30%以上，而到了2020 年该占比将超过40%。而与此形成鲜明对比的是：在存储器领域，中国几乎完全依赖于进口，存储器已经成为我国半导体产业受外部制约最严重的基础产品之一， 存储器国产化也成为了我国半导体发展大战略中的重要一步。
