传三星将于明年量产15nm及16nm DRAM内存
发表时间:2016年11月1日 08:01 来源:新浪网
11月1日消息,据半导体行业人士透露,三星电子存储业务部门计划将于明年下半年生产15nm和16nm DRAM(DRAM即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存),被称之为1ynm工艺。
传三星将于明年量产15nm DRAM内存
据悉,三星今年初量产了18nm DRAM,目前正在极力扩大产能,计划到明年下半年在DRAM总产能中占到30-40%。全球市场研究机构集邦科技旗下的DRAMExchange估计,三星18nm DRAM目前已经占到DRAM总产能的12%,而20nm DRAM的比例高达82%。
早在去年三星DS事业部执行副总裁就曾暗示,三星将在2020年大量生产10nm芯片技术,而随着目前的研发进度,最快2019年就能实现量产。
由于拥有先进的工艺技术,三星电子在全球DRAM市场占据绝对优势的地位。市场研究机构IHS的数据显示,三星在今年第二季度就已拥有DRAM市场46.6%的份额。目前的情况是,其竞争对手SK海力士和美光的主要产品还是20nm级DRAM芯片,它们明年第二季度之后才能生产18nm DRAM。行业人士认为,其他对手和三星之间有着一年半的差距。