目前手机闪存最高规格是256GB ，但这并不是终点，因为存储厂商们还在努力把更大的容量压缩成小巧的芯片。这其中，专注于手机内存和闪存芯片的三星就要有大动作了。

三星半导体在近期的加尼福尼亚圣克拉拉举行的闪存峰会上，展示了该公司全新的Vertical-NAND存储解决方案和技术。 三星宣布，将于明年正式推出1TB的V-NAND芯片，这是业界首款采用三维结构单芯片设计的NAND芯片。

据介绍，这款1TB V-NAND芯片将通过堆叠16个1TB模具，来使2TB存储装入单个V-NAND进行 装。三星表示，其将代表过去10年中存储方面最重要的进展之一。

为此，三星解决方案开发执行副总裁郑在宪（音译）在主题演讲时介绍称， 三星在韩国京畿道平泽市启用了全新的V-NAND芯片生产线。

随着基于人工智能和物联网技术的行业数据密集型应用的迅速增长，闪存的作用已经成为加速提取信息并用以实时分析速度的关键。因此，全新的SSD和闪存芯片在未来将会具备更智能的解决方案，例如在机器学习和高性能表现方面。

搭载512GB存储的手机还没发布，转眼1TB闪存芯片都要来了，然而最悲伤的是小雷却还在默默使用64GB存储的手机。从现实角度来看，三星的1TB芯片虽然能够在明年发布，但安装到手机上势必会进一步提升手机的价格，因此在未来很长一段时间，其都很难普及到一般消费者身上。