图2 Peregrine半导体的UltraCMOS?10技术平台新一代射频开关，调谐器和功率放大器的基础 显着地提高了用Ron* Coff性能指数(??)表示的性能。
Peregrine半导体的UltraCMOS Global 1系统
UltraCMOS10平台在性能和设计两方面都有很大提高，Peregrine半导体公司充份发挥它的长处，做出来第一个可重构的射频前端系统，它能够做到一个SKU，全球通用。这个射频前端称作UltraCMOS Global 1，它可以扩展，通过低损耗的开关和调谐之间的高度隔离，可以很容易做到支持数量更多的频段，从而解决互操作问题，并以数字控制的方式，适应所有的模式和频段，最重要的是，功率放大器的性能和GaAs功放相当。
Peregrine半导体的UltraCMOS?Global 1系统(见图3)包含：
3路、多模式、多频段功率放大器
功放后面的开关
天线开关
天线调谐器
支持包络跟踪
通用的射频前端 MIPI接口
行业中第一个达到GaAs功放性能的CMOS功放
在以前，没有一家厂商能够提供性能和GaAs功率放大器相当的CMOS功率放大器，这样，在LTE领域，CMOS功放不会有竞争。在这个领域，在性能方面的任何下降，都是不可以接受的。UltraCMOS?Global 1系统把Peregrine的成熟的、最好的射频开关和调谐器与第一个CMOS功率放大器紧密无间地整合在一起，达到GaAs功率放大器的性能。性能达到这个水平的功放，不需要增强包络跟踪，也不需增大数字预失真，在比较CMOS功放和GaAs功放的性能时，往往用这种方法。
图4 Peregrine半导体公司的UltraCMOS?Global 1功放是行业中第一个达到GaAs功放性能并超过现有CMOS功放性能十个百分点的功放，这表示效率提高了百分之33。
图4说明，窄频带功放的PAE(功率增加效率)性能指标的比较，这里使用WCDMA(语音)波形，相邻信道泄漏比(ACLR)为-38 dBc。在这些条件下，UltraCMOS Global 1功放的性能已接近PAE为50%。这与领先的GaAs功放产品水平相当，超过现有CMOS功放十个百分点，这表示效率提高了百分之33。
